Vacancy filling effect in thermoelectric NbO
Vacancy filling effect in thermoelectric NbO
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热电 NbO 中的空位填充效应
DOI：
10.1088/0953-8984/27/11/115501
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
D. Primetzhofer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Music;Richard W. Geyer;Pascal Bliem;M. Hans;D. Primetzhofer
利用密度泛函理论，我们系统地探讨了1a和1b空位填充NbO（空间群Pm-3 m）与Nb和N，分别设计具有大的塞贝克系数的化合物。最主要的效果被确定为填充1B维科夫网站与N引起的塞贝克系数增加了五倍。这可以基于电子结构来理解。Nb d-非金属p杂化诱导量子限制，从而使塞贝克系数的增强。这是通过测量反应溅射薄膜的塞贝克系数来验证的。在800 °C时，这些导电氮氧化物的塞贝克系数为−70 µV K−1，这是这些化合物有史以来报道的最大绝对值。
Using density functional theory, we have systematically explored the 1a and 1b vacancy filling in NbO (space group Pm-3m) with Nb and N, respectively, to design compounds with large Seebeck coefficients. The most dominating effect was identified for filling of 1b Wyckoff sites with N giving rise to a fivefold increase in the Seebeck coefficient. This may be understood based on the electronic structure. Nb d—nonmetal p hybridization induces quantum confinement and hence enables the enhancement of the Seebeck coefficient. This was validated by measuring the Seebeck coefficient of reactively sputtered thin films. At 800 °C these electrically conductive oxynitrides exhibit the Seebeck coefficient of −70 µV K−1, which is the largest absolute value ever reported for these compounds.
量子引导镧系元素稀合金化使 RuO2 薄膜的塞贝克倍数增加
影响因子：
4
作者：
D. Music;F.H.-U. Basse;L. Han;Devender;T. Borca-Tasciuc;J.J. Gengler;A.A. Voevodin;G. Ramanath;J.M. Schneider
通讯作者：
J.M. Schneider
影响因子：
4
作者：
Music, Denis;Takahashi, Tetsuya;Schneider, Jochen M.
通讯作者：
Schneider, Jochen M.