Temperature Dependence of Hall Scattering Factor in p-Type 4H-SiC with Various Doping Concentrations
Temperature Dependence of Hall Scattering Factor in p-Type 4H-SiC with Various Doping Concentrations
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不同掺杂浓度的 p 型 4H-SiC 中霍尔散射因子的温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and J. Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Asada;T. Okuda;T. Kimoto;and J. Suda
