A Reliability Study of Thickness Dependence of HfO2-based 3D-FeRAM Cell

A Reliability Study of Thickness Dependence of HfO2-based 3D-FeRAM Cell
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HfO2 基 3D-FeRAM 单元厚度依赖性的可靠性研究

DOI:
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发表时间:
2020
期刊:
IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference
影响因子:
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通讯作者:
and Ma, T.P.
and Ma, T.P.
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Maher, Olivier;Jiang, Hao;Liu, Zhan;and Ma, T.P.

文献摘要

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