Investigation of the van der Waals epitaxy gap in isostructural semiconducting germanium tellurides: HfGeTe4 and ZrGeTe4
Investigation of the van der Waals epitaxy gap in isostructural semiconducting germanium tellurides: HfGeTe4 and ZrGeTe4
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DOI：
10.1016/j.cjph.2016.08.014
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发表时间：
2016-10
影响因子：
5
通讯作者：
R. Sheeba;S. Israel;S. Saravanakumar
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Sheeba;S. Israel;S. Saravanakumar
