Towards a large-signal noise model for GaN HEMT devices
Towards a large-signal noise model for GaN HEMT devices
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建立 GaN HEMT 器件的大信号噪声模型
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Doerner
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Rudolph;R. Doerner
本文提出了一种偏置相关的描述HEMT噪声源，优化相对于大信号紧凑型模型的实施。为了保持小信号和大信号世界之间的一致性，噪声被描述为漏极电流的函数，而不是小信号参数（如SNR）。
This paper proposes a bias-dependent description of the HEMT noise sources that is optimized with respect to implementation in large-signal compact models. The noise is described as a function of drain current instead of small-signal parameters like the transconductance in order to maintain consistency between the small-signal and large-signal world.