Topographic study of dislocation structure in hexagonal SiC single crystals with low dislocation density
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2007.02.002
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发表时间：
2007-06
影响因子：
1.8
通讯作者：
D. Nakamura;S. Yamaguchi;I. Gunjishima;Y. Hirose;T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Nakamura;S. Yamaguchi;I. Gunjishima;Y. Hirose;T. Kimoto
