Experimental study on superior mobility in (110)-oriented ultra thin body SOI pMOSFETs

Experimental study on superior mobility in (110)-oriented ultra thin body SOI pMOSFETs
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(110) 取向超薄体 SOI pMOSFET 优异迁移率的实验研究

DOI:
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发表时间:
2005
期刊:
IEEE Electron Device Letters Vol.26, No.11
影响因子:
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通讯作者:
T.Hiramoto
T.Hiramoto
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
G.Tsutsui;M.Saitoh;T.Hiramoto

文献摘要

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