20 Gbps operation of membrane-based GaInAs/InP waveguide-type p?i?n photodiode bonded on Si substrate
20 Gbps operation of membrane-based GaInAs/InP waveguide-type p?i?n photodiode bonded on Si substrate
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接合在 Si 基板上的膜基 GaInAs/InP 波导型 p?in?n 光电二极管的 20 Gbps 运行
DOI：
10.7567/apex.11.022102
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发表时间：
2018
影响因子：
2.3
通讯作者：
Shigehisa Arai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhichen Gu;Daisuke Inoue;Tomohiro Amemiya;Nobuhiko Nishiyama;Shigehisa Arai
