Numerical Simulation of Detection Response of Field Effect MOS Transistor to Modulated Terahertz Radiation Signal
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场效应MOS晶体管对调制太赫兹辐射信号检测响应的数值模拟
DOI：
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发表时间：
2010-08
影响因子：
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通讯作者：
Cao, Juncheng
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wang, Yinglei;Yan, Zhifeng;Zhu, Jingxuan;Lin, Xinnan;He, Jin;Chan, Mansun;Cao, Juncheng
