A Review of the Role of Excess si in SIO2 at the Growing Oxide Interface.
A Review of the Role of Excess si in SIO2 at the Growing Oxide Interface.
复制标题
生长氧化物界面处 SIO2 中过量 si 作用的回顾。
DOI：
10.1557/proc-716-b1.13
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. Jaccodine
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Jaccodine
