Synthesis of short-wave infrared Ge1− y Sn y semiconductors directly on Si(100) via ultralow temperature molecular routes for monolithic integration applications
Synthesis of short-wave infrared Ge1− y Sn y semiconductors directly on Si(100) via ultralow temperature molecular routes for monolithic integration applications
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通过超低温分子路线直接在 Si(100) 上合成短波红外 Ge1-y Sn y 半导体，用于单片集成应用
DOI：
10.1116/6.0002052
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发表时间：
2022
影响因子：
2.9
通讯作者：
Kouvetakis, John
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xu, Chi;Hu, Ting;Zhang, Aixin;Ringwala, Dhruve A.;Menéndez, José;Kouvetakis, John
