M.Nishioka,S.Tsukamoto,Y.Nagamune,T.Tanaka,Y.Arakawa:"¨Fabication of In GaAs Strained Quantum Wires Using Selective MOCVD Selective Growth on SiO2-Pattemed GaAs Substrate¨" Journal of Crystal Growth. 124. 502-506 (1992)
M.Nishioka,S.Tsukamoto,Y.Nagamune,T.Tanaka,Y.Arakawa:"¨Fabication of In GaAs Strained Quantum Wires Using Selective MOCVD Selective Growth on SiO2-Pattemed GaAs Substrate¨" Journal of Crystal Growth. 124. 502-506 (1992)
复制标题
M.Nishioka、S.Tsukamoto、Y.Nagamune、T.Tanaka、Y.Arakawa：“在 SiO2 图案化 GaAs 衬底上使用选择性 MOCVD 选择性生长制造 In GaAs 应变量子线”《晶体生长杂志》124。 502 -506 (1992)
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
