K.Kodama, M.Takahashi, D.Ricinschi, A.I.Levescu, M.Noda, M.Okuyama: "Improved retention characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure using a post-oxygen-annealing treatment"Jpn. J. Appl. Phys.. 41. 2639-2644 (2002)
K.Kodama, M.Takahashi, D.Ricinschi, A.I.Levescu, M.Noda, M.Okuyama: "Improved retention characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure using a post-oxygen-annealing treatment"Jpn. J. Appl. Phys.. 41. 2639-2644 (2002)
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K.Kodama、M.Takahashi、D.Ricinschi、A.I.Levescu、M.Noda、M.Okuyama：“使用氧后退火处理改善金属-铁电-绝缘体-半导体结构的保留特性”Jpn。
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