The As-terminated Si(001) surface and its oxidation in molecular oxygen: an Si 2p and As 3d core-level study with synchrotron radiation
The As-terminated Si(001) surface and its oxidation in molecular oxygen: an Si 2p and As 3d core-level study with synchrotron radiation
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As 终止的 Si(001) 表面及其在分子氧中的氧化：同步辐射的 Si 2p 和 As 3d 核心级研究
DOI：
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发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Panaccione
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Rochet;C. Poncey;G. Dufour;H. Roulet;W. Rodrigues;M. Sauvage;J. Boulliard;F. Sirotti;G. Panaccione
