LONGITUDINAL PHOTON FLUX DISTRIBUTION IN LOW‐Q SEMICONDUCTOR LASERS

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低 Q 值半导体激光器中的纵向光子通量分布

DOI：
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发表时间：
1970
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Pilkuhn
M. Pilkuhn
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
R. Ulbrich;M. Pilkuhn

文献摘要

被引文献

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通过对垂直于受激光波方向的散射光的研究，发现了半导体注入激光器在有源区长度上的不均匀光子通量分布。这种效应只存在于低Q激光器中。
A nonuniform photon flux distribution over the length of the active region in semiconductor injection lasers has been found by investigating the scattered light perpendicular to the direction of the stimulated light wave. This effect is present only in low‐Q lasers.