Microscopic dynamics of silicon oxidation.
Microscopic dynamics of silicon oxidation.
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DOI：
10.1103/physrevlett.89.086102
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发表时间：
2002-08
影响因子：
8.6
通讯作者：
Y. Tu;J. Tersoff
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Tu;J. Tersoff
我们用巨正则蒙特卡罗方法研究了硅的氧化过程和SiO_2-Si（001）界面的动力学结构。我们发现，Si-O-Si桥键是前进界面的主要组成部分，我们确定了一个动力学途径，不断创造新的桥键。氧化过程中的局部事件，几乎没有证据表明“步流”的模拟。然而，随着它的发展，界面仍然非常平滑和突然。
We study the silicon oxidation process and the dynamic structure of the SiO2-Si (001) interface using a grand canonical Monte Carlo approach. We find that Si-O-Si bridge bonds are the main building blocks of the advancing interface, and we identify a kinetic pathway that continually creates new bridge bonds. Oxidation proceeds by local events, with little evidence of "step flow" in the simulation. Yet the interface remains remarkably smooth and abrupt as it advances.