Y.Fujiwara: "Effects of growth temperature on Er-related photoluminescence in Er-doped InP and GaAs by OMVPE with TBP and TBAs" Japanese Journal of Applied Physics. 36(5). 2587-2591 (1997)
Y.Fujiwara: "Effects of growth temperature on Er-related photoluminescence in Er-doped InP and GaAs by OMVPE with TBP and TBAs" Japanese Journal of Applied Physics. 36(5). 2587-2591 (1997)
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Y.Fujiwara：“生长温度对 Er 掺杂 InP 和 GaAs 中与 Er 相关的光致发光的影响，通过使用 TBP 和 TBA 进行 OMVPE”，《日本应用物理学杂志》。
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