Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Activation by EBSD pattern analysis
Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Activation by EBSD pattern analysis
复制标题
通过 EBSD 图案分析估计磷注入 4H-SiC 层的激活
DOI：
--
复制
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and Seiichiro Higashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hiroaki Hanafusa;Keisuke Maruyama;Shohei Hayashi;and Seiichiro Higashi
