High-breakdown-voltage Al0.36Ga0.64N-channel HFETs with a dual AlN/AlGaInN barrier layer and selective-area regrowth ohmic contacts
High-breakdown-voltage Al0.36Ga0.64N-channel HFETs with a dual AlN/AlGaInN barrier layer and selective-area regrowth ohmic contacts
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具有双 AlN/AlGaInN 势垒层和选择性区域再生欧姆接触的高击穿电压 Al0.36Ga0.64N 沟道 HFET
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Makoto Miyoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akiyoshi Inoue;Sakura Tanaka;Takashi Egawa;Makoto Miyoshi
