Determination of In Situ Trap Properties in CCDs Using a "Single-Trap Pumping" Technique
Determination of In Situ Trap Properties in CCDs Using a "Single-Trap Pumping" Technique
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使用“单陷阱泵浦”技术测定 CCD 中的原位陷阱特性
DOI：
10.1109/tns.2013.2295941
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发表时间：
2014
影响因子：
1.8
通讯作者：
Hall D
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hall D
