Pressure induced phase transformation of semiconductor clathrates
Pressure induced phase transformation of semiconductor clathrates
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半导体包合物的压力诱导相变
DOI：
10.1016/j.jpcs.2009.12.042
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发表时间：
2010
影响因子：
4
通讯作者：
H. Shimizu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Kume;S. Sasaki;H. Shimizu
利用高压下的同步辐射XRD和拉曼光谱研究了Ge基I型笼形物的压致相变和非晶化。XRD结果表明，Sr8Ga16Ge30、Ba8Ga16Ge30和I8Sb8Ge38分别在18、33和42GPa下发生了体塌缩相变。对I8Sb8Ge38进行的Reitveld分析表明，随着压力的增加，14面体笼的六元环发生变形。
Pressure induced phase transformation and amorphization for Ge-based type-I clathrates have been investigated by means of synchrotron XRD and Raman experiments under high pressure. The XRD results of Sr8Ga16Ge30, Ba8Ga16Ge30, and I8Sb8Ge38demonstrated volume collapse phase transitions at 18, 33, and 42GPa, respectively. Reitveld analyses performed for I8Sb8Ge38reveal a deformation of six-member rings of 14-hedron cages with increasing pressure.
阳离子 I 型包合物 I_8Sb_8Ge_38 的拉曼和 X 射线衍射研究：压力诱导的相变和非晶化
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Journal of Applied Physics 105-4
影响因子：
--
作者：
H.Shimizu;et al
通讯作者：
et al
通过拉曼散射研究 I 型笼形化合物 X_8Ga_<16>Ge_<30> (X = Eu, Sr, Ba) 中客体离子的动力学运动
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Phys.Rev.B 74
影响因子：
--
作者：
C.Liu;T.Nakajima;T.Sakka;and H.Oheaki;C.Liu and T.Nakajima;M. A. Avila;Y. Takasu;I. Ishii;K. Suekuni;R. A. Ribeiro;Y. Takasu;I.Ishii;Y.Takasu;M.A.Avila;Y.Takasu
通讯作者：
Y.Takasu
影响因子：
1.8
作者：
A. Miguel;A. Merlen;P. Toulemonde;T. Kume;S. Floch;A. Aouizerat;S. Pascarelli;G. Aquilanti;O. Mathon;T. Bihan;J. Itié;S. Yamanaka
通讯作者：
A. Miguel;A. Merlen;P. Toulemonde;T. Kume;S. Floch;A. Aouizerat;S. Pascarelli;G. Aquilanti;O. Mathon;T. Bihan;J. Itié;S. Yamanaka