Polarized-cathodoluminescence study of uniaxial and biaxial stress in GaAs/Si.
Polarized-cathodoluminescence study of uniaxial and biaxial stress in GaAs/Si.
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GaAs/Si 中单轴和双轴应力的偏振阴极发光研究。
DOI：
10.1103/physrevb.43.6836
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发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Dixon
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rich;Ksendzov;Terhune;Grunthaner;Wilson;Shen;Dutta;Vernon;Dixon
在检查La分解、工业PALA形变、HH和LH4μm倒入GaAs/Si d‘epaisur 4 mm时，梯形显微镜利用L的图像和La光谱消除阴极发光偏振线。定量分析DES能量和DES强度DLA发光DES激子HH ET LH倾倒测定器LES变化空间DU张力DES禁忌。LES的结果是，活动的Les区的腰部和前缘的微裂隙分别是一个牵引性的两轴和一轴的约束。单轴约束条件下两轴转化过程的区域转换分析
On examine la decomposition, induite par la deformation, des bandes de valence des trous lourds (hh) et des trous legers (lh) pour GaAs/Si d'epaisseur 4 μm, sur une echelle microscopique en utilisant l'imagerie et la spectroscopie de cathodoluminescence polarisee lineaire. Analyse quantitative des energies et des intensites de la luminescence des excitons hh et lh pour determiner les variations spatiales du tenseur des contraintes. Les resultats montrent que les regions loin et proches des microfissures sont d'abord respectivement soumis a des contraintes de traction biaxiale et uniaxiale. Analyse de la region de transition ou la contrainte biaxiale se transforme graduellement en contrainte uniaxiale