Novel fabrication technique of sub-10-nm-diameter Si nanowire FET using active oxidation
Novel fabrication technique of sub-10-nm-diameter Si nanowire FET using active oxidation
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使用活性氧化的亚 10 纳米直径硅纳米线 FET 的新型制造技术
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Ota
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Morita;S. Migita;W. Mizubayashi;H. Ota
我们提出了一种利用硅沟道活性氧化的自顶向下制造硅纳米线场效应晶体管（fet）的新技术。活性氧化同时使SiNW通道的宽度和线边粗糙度分别降低到2.8 nm和1.97 nm （3-σ）。研究了原子控制纳米线尺寸和纳米线形状的超薄SiNW场效应管的器件性能。
We propose a novel technique for top-down fabrication of Si nanowire (SiNW) field effect transistors (FETs) using active oxidation of the Si channel. The width and line edge roughness of the SiNW channel were simultaneously reduced by active oxidation to 2.8 nm and 1.97 nm (3-σ), respectively. Device performance of ultra-thin SiNW FETs with atomically controlled nanowire-size and nanowire-shape is demonstrated.