Is it possible to grow AlN by hydride vapor phase epitaxy
Is it possible to grow AlN by hydride vapor phase epitaxy
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是否可以通过氢化物气相外延生长AlN
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Kumagai;H.Shikauchi;J.Kikuchi;T.Yamane;Y.Kangawa;A.Koukitu
