低温成長InGaAs内のIn原子位置の成長温度およびアニール温度両依存性
低温成長InGaAs内のIn原子位置の成長温度およびアニール温度両依存性
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低温生长 InGaAs 中 In 原子位置对生长温度和退火温度的依赖性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
廣瀬伸悟，富永依里子，角屋豊
中科院分区：
文献类型：
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作者：
富永依里子，角屋豊;森岡仁;廣瀬伸悟，富永依里子，角屋豊
