Mechanisms of diffusion of boron impurities in SiO2.
Mechanisms of diffusion of boron impurities in SiO2.
复制标题
硼杂质在SiO2 中的扩散机制。
DOI：
10.1103/physrevlett.90.075901
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发表时间：
2003
影响因子：
8.6
通讯作者：
A. Oshiyama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Otani;K. Shiraishi;A. Oshiyama
我们报告的第一性原理总能量计算，澄清硼在二氧化硅中的扩散机制。我们发现，B原子根据其电荷状态的不同，具有多种稳定和亚稳定的几何构型。我们还发现，在扩散过程中的原子重排表现出丰富的键合的可行性，在SiO2和计算的活化能与实验数据一致。还提出了增强扩散。
We report first-principle total-energy calculations that clarify mechanisms of boron diffusion in SiO2. We find that a B atom takes a variety of stable and metastable geometries depending on its charge state. We also find that atomic rearrangements during the diffusion manifest a wealth of bonding feasibility in SiO2 and that the calculated activation energy agrees with the experimental data available. Recombination enhanced diffusion is also proposed.