原子層エピタキシー法を用いてN分布を意図的に変化させたGaAsN薄膜の作製と評価
原子層エピタキシー法を用いてN分布を意図的に変化させたGaAsN薄膜の作製と評価
复制标题
利用原子层外延有意改变氮分布的 GaAsN 薄膜的制造和评估
DOI：
--
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
鈴木 秀俊
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
上田 大貴;横山 祐貴;原口 智宏;山内 俊浩;鈴木 秀俊
