Improved photoresponse characteristics in Se-doped Si photodiodes fabricated using picoseconds pulsed laser miscing
Improved photoresponse characteristics in Se-doped Si photodiodes fabricated using picoseconds pulsed laser miscing
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使用皮秒脉冲激光混杂制造的硒掺杂硅光电二极管的光响应特性得到改善
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
1.9
通讯作者：
Lipeng Gao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shaoxu Hu;Peide Han;Shuai Wang;Xue Mao;Xinyi Li;Lipeng Gao
