SiC/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長を利用したsoI基板へのナノボア形成(III)
SiC/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長を利用したsoI基板へのナノボア形成(III)
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使用 SiC/Si(001) 异质外延生长在 soI 衬底上形成纳米孔 (III)
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
本岡輝昭
中科院分区：
文献类型：
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作者：
ハフィザル ビンヤハヤ;栗山恵司;崎田博文;生駒嘉史;本岡輝昭
