ランダムテレグラフノイズのMOSトランジスタ構造・動作条件依存性の統計的解析

ランダムテレグラフノイズのMOSトランジスタ構造・動作条件依存性の統計的解析
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随机电报噪声对 MOS 晶体管结构和工作条件依赖性的统计分析

DOI:
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发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
須川 成利
須川 成利
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
間脇武蔵;黒田理人;秋元瞭;須川 成利

文献摘要

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