New Ge substrate cleaning method for Si1−x−yGexCy MOMBE growth
New Ge substrate cleaning method for Si1−x−yGexCy MOMBE growth
复制标题
用于 Si1−x−yGexCy MOMBE 生长的新型 Ge 衬底清洁方法
DOI：
10.1016/s0040-6090(96)09258-9
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
S. Matsumoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Akane;H. Okumura;J. Tanaka;S. Matsumoto
