Modulation of 1.5 m dislocation-related luminescence emitted from a direct silicon bonded interface by external bias
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DOI：
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发表时间：
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影响因子：
4
通讯作者：
Rozgonyi G.A.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yu X.;Song L.;Yang D.;Kittler M.;Rozgonyi G.A.
