Al0.30Ga0.70N/GaN/Al0.07Ga0.93N Double Heterostructure High Electron Mobility Transistors with a Record Saturation Drain Current of 1050 mA/mm
Al0.30Ga0.70N/GaN/Al0.07Ga0.93N Double Heterostructure High Electron Mobility Transistors with a Record Saturation Drain Current of 1050 mA/mm
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Al0.30Ga0.70N/GaN/Al0.07Ga0.93N 双异质结构高电子迁移率晶体管，饱和漏极电流创纪录达到 1050 mA/mm
DOI：
10.1088/0256-307x/32/11/117202
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发表时间：
2015
影响因子：
3.5
通讯作者：
Hao Yue
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Li Xiang-Dong;Zhang Jin-Cheng;Guo Zhen-Xing;Jiang Hai-Qing;Zou Yu;Zhang Wei-Hang;He Yun-Long;Jiang Ren-Yuan;Zhao Sheng-Lei;Hao Yue
