Three-dimensional observation of dislocations by electron tomography in a silicon crystal
Three-dimensional observation of dislocations by electron tomography in a silicon crystal
复制标题
通过电子断层扫描对硅晶体中的位错进行三维观察
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Higashida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tanaka;M. Honda;M. Mitsuhara;S. Hata;K. Kaneko;K. Higashida
