EUV Interference Lithography for 22 nm Node and Below
EUV Interference Lithography for 22 nm Node and Below
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适用于 22 nm 节点及以下节点的 EUV 干涉光刻
DOI：
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发表时间：
2010
影响因子：
0.8
通讯作者：
Yasuyuki Fukushima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川田和正;他;K.Kawata for the Tibet AS_γ collaboration;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima
