A High-Power InP Resonant Tunnelling Diode Heterostructure for 300-GHz Oscillator Sources
A High-Power InP Resonant Tunnelling Diode Heterostructure for 300-GHz Oscillator Sources
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用于 300 GHz 振荡器源的高功率 InP 谐振隧道二极管异质结构
DOI：
10.23919/eumic54520.2022.9923482
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Cimbri D
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Cimbri D
影响因子：
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作者：
Jue Wang;M. Naftaly;E. Wasige
通讯作者：
Jue Wang;M. Naftaly;E. Wasige
使用薄井谐振隧道二极管提高输出功率
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
Katsuno M;Banno H;Suzuki K;Adachi H;Tanaka F;Sobue G;小室一成;H. Kanaya
通讯作者：
H. Kanaya