Optical gain of multi-stacked InAs quantum dots grown on InP(311)B substrate by strain-compensation technique
Optical gain of multi-stacked InAs quantum dots grown on InP(311)B substrate by strain-compensation technique
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采用应变补偿技术在 InP(311)B 衬底上生长多层 InAs 量子点的光学增益
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Takata;K.Akahane;N.Yamamoto;Y.Okada
