N.Fukata, M.Suezawa, A.Kasuya: "Impurity Dependence of Vacancy Formation Energy in Silicon Determined by a New Quenching Method"Jpn.J.Appl.Phys.. 41・10A. L1034-L1036 (2002)
N.Fukata, M.Suezawa, A.Kasuya: "Impurity Dependence of Vacancy Formation Energy in Silicon Determined by a New Quenching Method"Jpn.J.Appl.Phys.. 41・10A. L1034-L1036 (2002)
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N.Fukata、M.Suezawa、A.Kasuya：“通过新的淬火方法确定硅中空位形成能的杂质依赖性”Jpn.J.Appl.Phys.. 41・10A (2002)。
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