Characteristics of a terahertz photomixer based on a high-electron mobility transistor structure with optical input through the ungated regions
Characteristics of a terahertz photomixer based on a high-electron mobility transistor structure with optical input through the ungated regions
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基于高电子迁移率晶体管结构的太赫兹光混频器的特性，光输入通过非门控区域
DOI：
10.1063/1.1641953
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发表时间：
2004
影响因子：
3.2
通讯作者：
M. Shur
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Satou;V. Ryzhii;I. Khmyrova;M. Ryzhii;M. Shur
我们开发了一个太赫兹光混合器，利用类似于高电子迁移率晶体管（HEMT）的设备的通道中的等离子体振荡的激发的设备模型。该器件设计假设通过非栅控源极-栅极和栅极-漏极区的垂直光输入。使用这个模型，我们计算的HEMT光混合器的特性：作为具有不同的几何和物理参数的设备的信号频率的函数的响应度，和谐振频率的依赖性的栅极和非栅极部分的沟道和栅极电压的长度。我们还比较了HEMT光混合器的性能与一个类似的设备，但其中的光输入是通过基板。
We develop a device model for a terahertz photomixer that utilizes the excitation of plasma oscillations in the channel of a device similar to a high-electron mobility transistor (HEMT). The device design assumes vertical optical input through the ungated source–gate and gate–drain regions. Using this model, we calculate the characteristics of the HEMT photomixer: the responsivity as a function of the signal frequency for devices with different geometrical and physical parameters, and the dependence of resonant frequency on the length of the gated and ungated portions of the channel and the gate voltage. We compare also the performance of the HEMT photomixer with that of a similar device but one in which the optical input is through the substrate.
光信号激发二维电子通道中的太赫兹等离子体振荡
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
山口幸介;藤原英弘;竹内隆;大竹優;吉本雅彦;川口博;リズィー ヴィクトール
通讯作者：
リズィー ヴィクトール