A.Uedono,S.Tanigawa,J.Sugiura and M.Ogasawara: "Vacancyーtype defects in As^+ーimplanted SiO_2(43nm)/Si probed with slow positrons" Jpn.J.Appl.Phys.29. 1867-1871 (1990)
A.Uedono,S.Tanigawa,J.Sugiura and M.Ogasawara: "Vacancyーtype defects in As^+ーimplanted SiO_2(43nm)/Si probed with slow positrons" Jpn.J.Appl.Phys.29. 1867-1871 (1990)
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A.Uedono、S.Tanikawa、J.Sugiura 和 M.Ogasawara：“用慢正电子探测 As^+ 注入的 SiO_2(43nm)/Si 中的空位型缺陷”Jpn.J.Appl.Phys.29-。 1871 (1990)
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