Control of ferroelectric phase formation in HfxZr1－xO2 thin films using nano-ZrO2 nucleation layer technique
Control of ferroelectric phase formation in HfxZr1－xO2 thin films using nano-ZrO2 nucleation layer technique
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利用纳米ZrO2成核技术控制HfxZr1－xO2薄膜中铁电相的形成
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Atsushi Ogura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takashi Onaya;Toshihide Nabatame;Naomi Sawamoto;Akihiko Ohi;Naoki Ikeda;Takahiro Nagata;Atsushi Ogura
