MOSFET Nonvolatile Memory with High-Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 High-k Blocking Dielectric
MOSFET Nonvolatile Memory with High-Density Cobalt Nanodots Floating Gate and HfO2 High-k Blocking Dielectric
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具有高密度钴纳米点浮栅和 HfO2 高 k 阻挡电介质的 MOSFET 非易失性存储器
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Koyanagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Pei;C. Yin;T. Kojima;J. Bea;H. Kino;T. Fukushima;T. Tanaka;M. Koyanagi
