J. L. Lee: "Depth Profiles of Vacancy-type Defencts in Si_+ - implanted GaAs Resulting from Rapid Thermal Annealing" Appl. Phys. Lett.under submission
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J. L. Lee：“快速热退火产生的 Si_ 中空位型缺陷的深度剖面 - 注入的 GaAs”
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