A Physics Based Yet Computation Efficient Core Model for Undoped Surrounding-Gate MOSFET CurrentVoltage and CapacitanceVoltage Characteristics Prediction
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基于物理且计算高效的未掺杂环栅 MOSFET 电流核心模型
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Xukai Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Min Shi;Hao Zhuang;Jin He;Lining Zhang;Jian Zhang;Zhiwei Liu;Wen Wu;Wenping Wang;Yong Ma;Xukai Zhang
