Growth of a large transparent GaN single crystal using liquid phase epitaxy
Growth of a large transparent GaN single crystal using liquid phase epitaxy
复制标题
利用液相外延法生长大型透明 GaN 单晶
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takatomo SASAKI
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Fumio KAWAMURA;Minoru KAWAHARA;Masanori MORISHITA;Hidekazu UMEDA;Ryohei GEJO;Masashi YOSHIMURA;Yusuke MORI;Takatomo SASAKI
使用液相外延 (LPE) 技术生长大型 GaN 单晶
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
F. Kawamura;Tomoya Iwahashi;K. Omae;M. Morishita;M. Yoshimura;Y. Mori;T. Sasaki
通讯作者：
T. Sasaki