Shunro Fuke: "Strain relaxation of GaAs layers grown on heavily Indoped substrate by organometallic vapor phase epitaxy" Journal of Applied Physics. 68. 1013-1017 (1990)
Shunro Fuke: "Strain relaxation of GaAs layers grown on heavily Indoped substrate by organometallic vapor phase epitaxy" Journal of Applied Physics. 68. 1013-1017 (1990)
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Shunro Fuke：“通过有机金属气相外延在重度掺杂衬底上生长的 GaAs 层的应变弛豫”《应用物理学杂志》。
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