M.ishida,S.Yamaguchi,Y.Hikita,T.Nakamura: "Characterization of Epitaxially grown Si/Al_2O_3/Si Shructures by MOS FET'S" Proc.of 8th Int.Workshop on Future Electron Devices Mar.14-16 in Kochi. 41-45 (1990)
M.ishida,S.Yamaguchi,Y.Hikita,T.Nakamura: "Characterization of Epitaxially grown Si/Al_2O_3/Si Shructures by MOS FET'S" Proc.of 8th Int.Workshop on Future Electron Devices Mar.14-16 in Kochi. 41-45 (1990)
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M.ishida、S.Yamaguchi、Y.Hikita、T.Nakamura：“MOSFET 的外延生长 Si/Al_2O_3/Si 结构的表征”Proc.of 第八届未来电子器件国际研讨会 3 月 14 日至 16 日在高知举行。
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