Analysis of a p+p-n-n+ diode structure
Analysis of a p+p-n-n+ diode structure
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DOI：
10.1109/ispsd.2008.4538921
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发表时间：
2008-05
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Min Chen;J. Lutz;H. Felsl;H. Schulze
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Min Chen;J. Lutz;H. Felsl;H. Schulze
在本文中，我们提出了一个p+p-n-n+二极管结构，作者在以前的工作中讨论的FM二极管的扩展。这种设计可以被看作是简化的结构，并且为器件行为提供了进一步的优点。电场分布的重构将进一步推迟静态和动态击穿。此外，在反向恢复期的尾相中，动态雪崩被推迟并且较早结束。
In this paper we present a p+p-n-n+ diode structure, an extension of the FM-diode the authors have discussed in previous work. This design can be seen as a simplified structure and provides further advantages for the device behavior. Static and dynamic breakdown will be further postponed by remodeling the electric field distribution. Furthermore, in the tail phase of the reverse recovery period, the dynamic avalanche is postponed and ends earlier.