Resonant Tunneling Diodes Oscillating at Around 900GHz with Spike Doping Structures for Low Bias Voltage Operation
Resonant Tunneling Diodes Oscillating at Around 900GHz with Spike Doping Structures for Low Bias Voltage Operation
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谐振隧道二极管振荡频率约为 900GHz，具有尖峰掺杂结构，可实现低偏置电压操作
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Sawada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Maeda;A.;K.Sawada
