Structural investigation of hierarchically self‐assembled GaAs/AlGaAs quantum dots
Structural investigation of hierarchically self‐assembled GaAs/AlGaAs quantum dots
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分级自组装GaAs/AlGaAs量子点的结构研究
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Dähne
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Lenz;R. Timm;H. Eisele;L. Ivanova;Dominik Martin;V. Voßebürger;A. Rastelli;O. Schmidt;M. Dähne
最近的研究表明，自组织无应变的GaAs/AlGaAs量子点，通过结合Sttranski-Krastanov生长模式和原位蚀刻技术制备，显示GaAs量子点具有大的限制能量和高尺寸均匀性。在这里，我们提出了这些量子点的第一个横截面扫描隧道显微镜数据，其特征在于约35 nm的横向延伸，约5-6 nm的高度，和一个倒截棱锥形状。我们进一步观察到的AlGaAs主机层的分解和AlGaAs/GaAs界面的粗糙化。（© 2006 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
Recent investigations of self‐organized unstrained inverted GaAs/AlGaAs quantum dots, prepared by a combination of Stranski–Krastanov growth mode and an in situ etching technique, show GaAs quantum dots with large confinement energy and high size homogeneity. Here we present first cross‐sectional scanning tunneling microscopy data of these quantum dots, characterized by a lateral extension of about 35 nm, heights of about 5–6 nm, and a reversed truncated pyramidal shape. We further observe a decomposition of the AlGaAs host layers and a roughening of the AlGaAs/GaAs interfaces. (© 2006 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)